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2017 SPIE X射线和EUV光学计量学进展专题会议（Advances in Metrology for X-Ray and EUV Optics VII）
2017 SPIE X射线 EUV光学计量学进展 专题会议
2017/4/25
Conference Sessions:1: At-Wavelength Metrology ;2: Metrology of VLS Gratings Technology Hot Topics: How Optics and Photonics Drive Innovation ;3: Calibration and Nanoradian Metrology ;4: Metrology Fac...
台积电28nm工艺仍将采用液浸ArF曝光，EUV将用于22nm以下工艺
台积电 工艺 曝光技术
2011/11/4
据日经BP报报道，台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的28nm工艺仍将采用193nm波长的液浸ArF曝光技术。而在接下来的22nm工艺中，将讨论使用以下三个候选方案。（1）193nm波...
台积电将EUV列入光刻线路图
台积电 光刻 线路图
2011/11/3
日前，台积电（TSMC)在其2008年技术论坛会议上，简要描述了该公司光刻线路图（Lithography Roadmap)，作为计划的一部分，TSMC对极紫外光刻技术进行了新的评估，并将其纳入光刻线路图。