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采用热蒸发的方法在硅片衬底上自组装生长的Pentacene薄膜，薄膜在80 ℃温度下经2 h恒温真空热处理，通过原子力显微镜(AFM)对Pentacene薄膜表面形貌及其生长机制进行研究。结果得到，在硅片上生长的Pentacene薄膜是以台阶岛状结构生长，其岛状直径约为100 nm。且Pentacene分子以垂直于衬底的方向生长，台阶岛状结构中每个台阶的平均高度约为1.54 nm·s-1，与Pen...