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GaAs/AlGaAs量子阱热红外上转换焦平面材料研究
GaAs/AlGaAs 量子阱 热红外 转换焦 平面材料
2023/8/31
GaAs/AlGaAs量子阱热红外上转换焦平面材料研究。
GaAs微尖上碳纳米管的制备
碳纳米管 热化学气相沉积 GaAs 选择液相外延
2013/9/28
采用热化学气相沉积的方法在选择性液相外延方法制备的GaAs微尖上生长碳纳米管。利用扫描电子显微镜以及拉曼光谱对生长的碳纳米管进行表征。结果表明:GaAs微尖在高温下重新结晶成条状梯形GaAs阵列,生长的碳纳米管连接在相邻的GaAs阵列之间,形态规整,具有较好的石墨微晶结构。在此基础上,提出在微尖上生长纳米管的模型,为实现微纳器件互联提供了一种新方法。
太赫兹场作用下的GaAs 双量子阱的光吸收分析
光吸收谱 量子阱 太赫兹
2012/11/23
用密度矩阵理论分析了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱和双量子阱的光吸收谱.分析表明：在直流和太赫兹场作用下，由于量子约束斯塔克效应，光吸收谱呈现出多个激子吸收峰.改变太赫兹的强度和频率，吸收谱出现恶歇分裂，并产生边带，这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应.
不同变掺杂结构GaAs光电阴极的光谱特性分析
GaAs光电阴极 变掺杂 内建电场 量子效率
2010/2/4
为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果，设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极，激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线，对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析，得到了体现变掺杂结构贡献程度的变掺杂系数K值。研究发现，同一阴极材料对不同波段的入射光，其掺杂结构产生的作用效果各不相同。同时，不同掺杂结构光电阴极对于相同波段范围内的入射光，其作...
利用光谱响应测试仪测试了反射式GaAs光电阴极在激活过程中以及激活后衰减过程中的光谱响应曲线，测试结果显示在这两个过程中光谱响应曲线形状都在不断发生变化。在激活过程中随着GaAs表面双偶极层的形成，阴极表面有效电子亲和势不断降低，光谱响应则不断提高，但长波响应提高得更快。在激活结束后，位于激活室中受白光照射的GaAs光电阴极由于Cs的脱附影响了双偶极层结构，阴极表面有效电子亲和势不断升高，光谱响应...
GaAs量子阱半导体微腔中, 光子同时与重空穴激子、轻空穴激子耦合形成腔极化激元. 本文采用三谐振子耦合模型, 计算了腔极化激元的三支的色散关系、线宽、有效质量及其群速度; 结果表明, 由于腔极化激元的三支中光子、重空穴激子、轻空穴激子所占的权重随着平面波矢（或入射角度）变化, 腔极化激元三支的线宽、有效质量及其群速度呈现出不同的动态行为.
GaAs光电阴极稳定性的光谱响应测试与分析
2007/8/20
利用光谱响应测试仪对激活后的反射式GaAs(Cs,O)光电阴极进行了稳定性测试,获得了阴极随时间变化的光谱响应曲线,并表征了阴极在衰减过程中的性能参数变化.结果表明:积分灵敏度和峰值响应随着时间不断下降,截止波长向短波推移,表面逸出几率的下降是阴极衰减的直接原因.不同波长下光谱响应的衰减速率并不相同,波长越长,衰减速率越大,因此激活台内阴极在灵敏度衰减的同时长波响应能力也在不断下降.
激活台内透射式GaAs光电阴极的光谱响应特性研究
2007/8/20
利用在线光谱响应技术，对透射式GaAs光电阴极在高温激活和低温激活后的光谱响应特性进行了测试，计算并比较了高温激活和低温激活后阴极的积分灵敏度和光谱响应特性参数.结果发现,与高温激活相比，低温激活后GaAs光电阴极的积分灵敏度提高了13％，低温激活后阴极的截止波长和峰值波长均向长波有微小偏移.将已获得的测试曲线与铟封后的三代像增强器的光谱响应曲线进行了比较，结果发现铟封前后的光谱响应曲线存在明显差...
期刊信息
篇名
Optically Activated Charge Domain Model for High-gain GaAs Photoconductive
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
施卫
第一作者单位
西安理工大学
刊物名称
半导体学报 （EI收录）
页面
出版日期
2001年
月
日
文章标识(ISSN)
0253-4177
相关项目
大功率超短电脉冲（ps）光电导开关微波源...
用红外脉冲激光触发半绝缘GaAs 光电导开关的研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
用红外脉冲激光触发半绝缘GaAs 光电导开关的研究
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
张显斌,施卫,李琦
第一作者单位
西安理工大学
刊物名称
强激光与粒子束 （EI收录）
页面
出版日期
2002年
06月
日
文章标识(ISSN)
1001-4322
相关项目
大功率超短电脉冲（ps）光电导开关微波源的研究
Justification of Spherical Approximations using Degree of Linear Polarization of Hot Electron Luminescence from GaAs Crystal
degree of linear polarization heavy hole peak
2010/4/13
The anisotropic momentum distribution of photoexcited hot electrons on recombination with holes at the acceptor level produces linearly polarized luminescence. It is found that the degree of linear po...
Single Si d-Doped GaAs Investigations by New Photothermal Wavelength Modulated Photocurrent Technique
Photothermal Wavelength Modulated Photocurrent
2010/4/16
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The Energy Spectra of GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Dots
Energy Spectra GaAs/AlxGa1-xAs Quantum Dots
2010/4/19
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