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Tips-Pentacene OTFT电极接触电阻的研究
转移线性法 有机薄膜晶体管 接触电阻 喷墨打印
2014/3/20
采用转移线性法分析了以PVP为栅绝缘层、以Tips-pentacene为有源层的有机薄膜晶体管(OTFT)电极与有源层间的接触电阻,其中介电层和有源层均采用旋涂法制备,银电极采用喷墨印刷法制备。沟道长度分别取200,250,300 μm和400 μm,有源层退火时间分别为2 h,6 h和10 h,提取到的3种不同退火时间的OTFT的接触电阻分别为8 MΩ,4.5 MΩ和3 MΩ,退火10 h的OT...
采用热蒸发的方法在硅片衬底上自组装生长的Pentacene薄膜，薄膜在80 ℃温度下经2 h恒温真空热处理，通过原子力显微镜(AFM)对Pentacene薄膜表面形貌及其生长机制进行研究。结果得到，在硅片上生长的Pentacene薄膜是以台阶岛状结构生长，其岛状直径约为100 nm。且Pentacene分子以垂直于衬底的方向生长，台阶岛状结构中每个台阶的平均高度约为1.54 nm·s-1，与Pen...