搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术”相关记录4776条 . 查询时间(2.604 秒)
“智能终端与芯片”研讨会在确山召开
智能终端 芯片 确山
2024/9/19
2024年9月13日，由中国通信学会物联网专业委员会、中国电子学会物联网专家委员会、中国电子学会通信分会共同主办，中原工学院承办，新华三技术有限公司协办的“智能终端与芯片”研讨会在确山县召开。中国科学院院士尹浩，中国工程院院士张宏科，中国通信学会副秘书长宋彤，中原工学院校长夏元清、副校长马建国，新华三技术有限公司高级副总裁刘新民，驻马店市政府副市长孙继伟，确山县政府县长蒋贵印等出席大会开幕式。来自...
上海有机所在多孔高分子光催化材料研究中取得进展（图）
高分子 光催化材料 半导体
2024/9/14
过氧化氢（H2O2）是一种重要的化工原料，在工业、医疗、化学合成等领域被广泛应用。与目前已有的多种H2O2生产方法，如过硫酸盐电解、醇氧化和电化学合成相比，光催化利用具有合适带隙和活性位点的半导体，在可见光驱动下发生氧化还原反应，是较有应用前景的绿色H2O2生产方法之一，这一方法的关键是开发高性能的催化材料。共价有机框架 (COFs) 是一类内部结构高度有序、骨架可预设计、性质可调的多孔聚合物半导...
我国半导体制造核心技术实现突破（图）
半导体制造 氢离子注入 功率半导体
2024/9/12
近日，国家电力投资集团有限公司所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。
第十九届全国半导体与集成技术会议在南京成功召开（图）
第十九届 半导体 集成技术 南京
2024/9/17
2024年8月23-25日，第十九届全国半导体与集成技术会议在南京成功召开。本次会议由中国电子学会半导体与集成技术分会、中国科学院半导体研究所主办，南京大学、东南大学承办。会议设置1个主论坛、8个专题分论坛以及青年托举论坛，近1000名全国半导体与集成技术领域高校、科研院所和企业界的专家、学者和青年学生参加了本次会议。会议旨在推动半导体与集成技术学科发展、技术创新和产业升级，为我国半导体与集成电路...
西安电子科技大学集成电路学部成立于2024年1月，学部是学校党政领导下的学术实体，统筹集成电路科学与工程一级学科和集成电路学院建设工作，支撑电子科学与技术一级学科建设，下设微电子学院、集成电路学院，以及宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室、宽禁带半导体国家工程研究中心、国家集成电路产教融合创新平台等三个平台。是国内较早开展微电子专业人才培养与科学研究的单位之一，是国家首批示范性微电子学院建设单...
南京理工大学微电子学院（集成电路学院）由南京理工大学、中国电子科技集团有限公司和南京市人民政府联合共建，于2022年9月召开揭牌成立大会。学院旨在服务国家战略需求，凝聚优势力量，培养高水平拔尖创新人才，力争建成“协同创新、产科教融合”的国内一流研究型学院，推动南理工“双一流”建设，助力我国集成电路产业高质量发展。
为加强工程领域前沿技术交流，扎实推动科技创新和产业创新深度融合，助力发展新质生产力，由中国工程师联合体指导，中国工程师联合体工程能力评价委员会主办，中国通信学会通信建设工程技术专业委员会、服务型制造研究院承办的“‘数智赋新 质向未来’2024年信息通信与数字技术领域工程技术主题沙龙”于2024年8月24日在浙江省杭州市成功举办。
上海微系统所“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”（图）
柔性 太阳电池 集成电路
2024/8/28
2024年8月15-18日，第十九届中国可再生能源学会在陕西西安召开，光伏专委会发布了2024年太阳电池中国最高效率、2023年光伏领域重大科技进展，集成电路材料全国重点实验室纳米材料与器件实验室新能源技术中心课题组的“柔性单晶硅太阳电池技术”入选“2023年光伏领域重大科技进展”。
目前主要从事有机共轭半导体分子与聚合物的设计、合成，及在光探测与多种传感器件中的应用。在有机太阳能电池、有机共轭自由基材料、共价有机骨架材料方向具有丰富的经验，并取得了丰硕的成果，在Advanced Materials,Angewandte Chemie,Journal of Material Chemistry C等一系列国际权威期刊发表相应论文。
一直从事半导体材料、器件、工艺及其封装方面的研究工作，尤其是非制冷红外探测器的工艺及先进封装研究工作。作为项目负责人完成2项非制冷红外探测器国家重大计划研究项目，作为参与人完成相关国家研究项目10项，发表相关研究论文5篇，获得授权专利8项，并获得两项省部级奖励。
长期从事集成电路与系统、数模混合集成电路及应用系统的、光电探测器与系统的设计开发等技术领域的科研工作。曾主持了国家重大专项、国家自然科学基金、*****预研基金、企业横向项目等多个科研项目，获得国家技术发明二等奖1项，省部级科技奖励2项。在国际期刊IEEE Sensors Journal、Electron.Lett.、Analog Interg.Cir.Sig.Process等）、国际会议（SPI...
2013年本科毕业于电子科技大学英才实验班，2013-2019年硕博连读毕业于电子科技大学光电科学与工程学院，导师为于军胜教授。2020-2023年在美国西北大学Tobin J.Marks（美国三院院士）、Antonio Facchetti（欧洲科学院院士）课题组先后担任博士后以及研究助理教授（Research Assistant Professor）。2023年3月至2023年11月在美国第一太...
中国科学院金属所等发明热发射极晶体管（图）
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小，其进一步发展的挑战日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶体管，已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输，而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能，展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而，过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子，由于界面势垒的...
中国科学院沈阳分院金属所发明热发射极晶体管（图）
金属 晶体管 集成电路
2024/8/16
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小，其进一步发展的挑战日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶体管，已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输，而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能，展现出突破现有晶体管技术限制的潜力。然而，过去的热载流子晶体管主要依靠隧穿注入和电场加速来生成热载流子，由于界面势垒的...